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产品介绍

PCM-R8

高内聚力相变矩阵·极低热阻裸晶散热材料
PCM-R8 采用强化相变矩阵,室温为固态自立片材,于工作温度与锁附压力下软化并润湿界面。相较一般相变片,R8 在相变后仍保有更高内聚力与结构完整性,可在受限 BLT 或非理想贴合的散热模组中,降低界面空气、热阻、过熔与泵出风险。

导热 / 热阻:8.5 W/m-K;热阻 0.08 °C-cm²/W @ 10 psi、0.04 °C-cm²/W @ 50 psi
相变与 BLT:约 45–70°C 相变软化,最低 BLT 可达 22 µm
材料类型:填充型非硅系热塑性相变导热片,室温固态、可裁切与自动化贴附
核心优势:高内聚力相变结构可抑制过度流动,降低泵出、干化与长期界面劣化。

详情介绍

性能定位与热管理价值
PCM-R8 以 8.5 W/m-K 与 0.08 °C-cm²/W @ 10 psi 的低热阻表现为核心,搭配最低 22 µm BLT,可在低锁附压力下建立薄型且稳定的热传界面。此产品特别适合最终贴合厚度受结构限制、热源与散热件并非完全一对一接触的模组设计,协助降低界面热阻并提升长时间运作下的散热一致性。

材料于室温维持固态自立片材型态,利于裁切、贴附与自动化定位;进入工作温度后再于压力下完成界面润湿。这种固态操作、相变贴合的特性,可兼顾干净制程、薄型 BLT、可控间隙与低污染风险,作为导热膏与传统相变垫片的可靠替代方案。

高内聚力相变结构
R8 的强化相变矩阵在约 45–70°C 软化后,能润湿微观表面孔隙并排除界面空气,同时维持较高内聚力与材料连续性。材料不易因相变而过度流动或离散,可降低过熔、泵出、干化与长期界面劣化风险,对高功率循环与长期可靠性更有利。

建议应用情境
PCM-R8 适用于 AI 训练集群、超大规模数据中心处理器、HPC 裸晶 CPU/GPU、笔记本电脑散热模组、航太航电高功率电子、车用功率模组、光电与激光系统。其材料特性特别适合需要高导热、低界面热阻、高内聚力与长期稳定性的产品设计。